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Transistor NPN, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE253G

Transistor NPN, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE253G
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 0.76€ 0.93€
5 - 9 0.72€ 0.88€
10 - 24 0.69€ 0.84€
25 - 49 0.65€ 0.79€
50 - 99 0.63€ 0.77€
100 - 249 0.56€ 0.68€
250 - 433 0.59€ 0.72€
Qnéuantità U.P
1 - 4 0.76€ 0.93€
5 - 9 0.72€ 0.88€
10 - 24 0.69€ 0.84€
25 - 49 0.65€ 0.79€
50 - 99 0.63€ 0.77€
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Transistor NPN, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE253G. Transistor NPN, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: -4A. Alloggiamento: TO-126. Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Potenza: 15W. Frequenza massima: 40 MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE243. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 00:25.

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