MJE200G

MJE200G. Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65MHz. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE210. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 14:25.