MJE18008

MJE18008. C(in): 1750pF. Costo): 100pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13MHz. Funzione: Applicazioni di alimentazione in modalità switching. Guadagno hFE massimo: 14. Guadagno hFE minimo: 34. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 23:25.