Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MJE210G

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5 - 9 0.64€ 0.78€
10 - 24 0.60€ 0.73€
25 - 49 0.57€ 0.70€
50 - 99 0.56€ 0.68€
100 - 249 0.47€ 0.57€
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MJE210G. Costo): 120pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65MHz. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE200. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 14:25.

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Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 15W. Frequenza massima: 40 MHz. Alloggiamento: TO-126. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE243. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 15W. Frequenza massima: 40 MHz. Alloggiamento: TO-126. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE243. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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