Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V - MJ15023-ONS

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V - MJ15023-ONS
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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V - MJ15023-ONS. Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15022. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 22:25.

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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ...
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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Costo): 280pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15024. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Costo): 280pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15024. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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