Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MJ15023-ONS

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MJ15023-ONS. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15022. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 22:25.

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Costo): 280pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15024. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 280pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15024. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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