Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13007

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13007
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13007. Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: Commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Prodotto originale del produttore Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 26/07/2025, 12:25.

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ST13007A

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 16. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 13007A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V
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MJE13007-CDIL

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: Commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
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LM358P

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LM358P
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LM358P
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ST13007A

ST13007A

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
ST13007A
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HUF76121D3S

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Transistor a canale N, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. ID (...
HUF76121D3S
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