Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MJE13007

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MJE13007. Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 16. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 13007A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 16. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 13007A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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