Transistor

Costo): 8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 600mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 0.6A. Nota: piedinatura E, C, B. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V

Costo): 6pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 500mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor epitassiale al silicio PNP. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Corrente del collettore: 100mA. Marcatura sulla cassa: R1002. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V

Resistenza B: 22k Ohms. Resistenza BE: 22k Ohms. Costo): 100pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: SW. Corrente del collettore: 0.1A. Marcatura sulla cassa: R1003. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Corrente del collettore: 100mA. Marcatura sulla cassa: R1007. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Corrente del collettore: 0.1A. Nota: 0.3W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: 0504-000142. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Corrente del collettore: 0.1A. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza B: 47. Resistenza BE: 47. Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Corrente del collettore: 0.1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: 12159-301-810. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza B: 10. Resistenza BE: 10. Costo): 3.7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 0.15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V

Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor PNP planare epitassiale . Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 280pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: Amplificatore audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Corrente del collettore: 10A. Marcatura sulla cassa: B778. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P ( H ) IS. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KTD998. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 0.8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 800 MHz. Funzione: FM-V/M/O. Guadagno hFE massimo: 198. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 20mA. Marcatura sulla cassa: 15.8k Ohms. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: hFE 20...90. Corrente del collettore: 3A. Nota: T32. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 0.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 11 MHz. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 210V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marcatura sulla cassa: 60T65PES. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 535W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 142ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. Funzione: 0505-111646. ID (T=25°C): 1.4A. Idss (massimo): 1.4A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SMD 5p.. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD QU

Costo): 1pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistore ad alta tensione per CRT a definizione standard. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 0.55pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistore ad alta tensione per CRT a definizione standard. Guadagno hFE massimo: 7.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 4pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 4.5. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218-FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS