Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MD1802FX

MD1802FX
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MD1802FX. Costo): 1pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistore ad alta tensione per CRT a definizione standard. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 12:25.

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MD2310FX

MD2310FX

Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione...
MD2310FX
Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 14A. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MD2310FX
Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 14A. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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