Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MD1803DFX

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MD1803DFX. Costo): 0.55pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistore ad alta tensione per CRT a definizione standard. Guadagno hFE massimo: 7.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 17:25.

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Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 18. Guadagno hFE min...
MD2009DFX
Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 18. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 16A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MD2009DFX
Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 18. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 16A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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