MD2009DFX

MD2009DFX. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 18. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 16A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 17:25.