KTA1663

KTA1663. Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor PNP planare epitassiale . Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 17:25.