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KSR1002

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KSR1002. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Corrente del collettore: 100mA. Marcatura sulla cassa: R1002. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 17:25.

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FJN3302R

FJN3302R

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE min...
FJN3302R
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117
FJN3302R
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117
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KRC102M

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di ...
KRC102M
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: TO-92M
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: TO-92M
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2SC3402

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Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 250 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Assemblaggio/in...
2SC3402
Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 250 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1
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KRC110M

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