Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC817-40

BC817-40
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1 - 4 0.31€ 0.38€
5 - 9 0.29€ 0.35€
10 - 24 0.28€ 0.34€
25 - 49 0.26€ 0.32€
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100 - 149 0.23€ 0.28€
150 - 53402 0.22€ 0.27€
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Set da 10

BC817-40. Costo): 10pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 250. Corrente del collettore: 0.5A. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD 6C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

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BC817-40-NXP

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Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-...
BC817-40-NXP
Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 250. Corrente del collettore: 0.5A. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC817-40-NXP
Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 250. Corrente del collettore: 0.5A. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N7002

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Rds sulla resistenza attiva: 24 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio ...
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2.67€ IVA incl.
(2.19€ Iva esclusa)
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CC0603KRX7R7BB104

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Do: 10pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Mat...
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Esaurito
PPE-TIN2-E008G

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Diametro: 28...45um. Eutettico: sì. Punto di solidificazione (°C): +217°C. Punto di fusione (°C)...
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10.50€ IVA incl.
(8.61€ Iva esclusa)
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HSP75

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HSP75
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