Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC817-40

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC817-40
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC817-40. Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 10pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 250. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 6C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 06:25.

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BC817-40-NXP

BC817-40-NXP

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BC817-40-NXP
Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 250. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: SMD 6C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
BC817-40-NXP
Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 250. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: SMD 6C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
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TNY266GN

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TNY266GN
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BAW56

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Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda t...
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Transistor a canale N, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. ID...
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LNK304GN

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CC0603KRX7R7BB104

CC0603KRX7R7BB104

Capacità: 100.0nF. Voltaggio CC: 16VDC. Coefficiente di temperatura: X7R. Tolleranza: ±10%. Allogg...
CC0603KRX7R7BB104
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BAT54

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Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo sched...
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PPE-TIN2-E008G

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Diametro: 28...45um. Eutettico: sì. Temperatura di saldatura: +280...+410°C. Nota: Pasta saldante ...
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KNP5WS-47R0
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HSP75
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