Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SD880

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2SD880. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD241C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD242C
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD241C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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