FJN3302R

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FJN3302R. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 18:25.

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