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Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V - MD2001FX

Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V - MD2001FX
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Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V - MD2001FX. Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218-FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Costo): 4pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 4.5. Ic(impulso): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 03:25.

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Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 14A. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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