Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V - BD243CG

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V - BD243CG
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V - BD243CG. Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 02:25.

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TIP41C

TIP41C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
TIP41C
Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP42C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
TIP41C
Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP42C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
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M3W-10R

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. C...
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Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-...
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-...
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
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