Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V - TIP32C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V - TIP32C
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V - TIP32C. Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Costo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: PNP TRANS 100V 3. Data di produzione: 201448. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP31C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 01:25.

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BD242C

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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
BD242C
Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD241C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD241C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V
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MF0207-2K94

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Resistenza, 2.94k Ohms, 0.6W. Resistenza: 2.94k Ohms. Potenza: 0.6W. Tolleranza: 1%. Serie: MF0207. ...
MF0207-2K94
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Materiale: ottone stagnato. Piedinatura: connessioni a saldare su circuito stampato. Tipo di connett...
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