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TIP32C

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TIP32C. Costo): 160pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: PNP TRANS 100V 3. Data di produzione: 201448. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP31C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.

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BD242C

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD241C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD241C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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