Transistor

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. Funzione: Up 10V. ID (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Rds sulla resistenza attiva: 30 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Voltaggio Vds(max): 35V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 10V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3V. Quantità per scatola: 1

C(in): 28pF. Costo): 5pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. Funzione: Up 4.5V. Idss (massimo): 5mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 Ammo-Pak. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 35V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V. Quantità per scatola: 1

C(in): 28pF. Costo): 5pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: FET. ID (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Rds sulla resistenza attiva: 100 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 35V. Voltaggio gate/source Vgs: 35V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: P. Tipo di transistor: FET. Funzione: P-Channel Switch. Idss (massimo): 100mA. ID (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Rds sulla resistenza attiva: 85 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: P-Channel Switch. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 10V. Tensione gate/source (spenta) min.: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J175. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale P. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: P. Tipo di transistor: JFET. Idss (massimo): 25mA. ID (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Rds sulla resistenza attiva: 250 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: P-Channel Switch. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Funzione: VGS(off) 1V...4V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 35...125. Corrente del collettore: 500mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-5. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-5. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Spec info: Lo-Pwr BJT

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: KSA642-O

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Corrente del collettore: 0.15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: 9mm. Corrente del collettore: 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF/S. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: Altezza 9 mm. Diodo CE: sì

Costo): 55pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSC2073. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 2pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 300. Corrente del collettore: 50mA. Marcatura sulla cassa: A992. Equivalenti: 2SC992. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 3L (AMMO). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSC1845. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 9 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 150. Corrente del collettore: 3A. Marcatura sulla cassa: B1366-G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon PNP Triple Diffused Type. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSD2012. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: SAMSUNG. Diodo CE: sì

Costo): 2.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: Uscita cromatica TV a colori (VID-L). Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 200mA. Marcatura sulla cassa: C1507 O. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diodo CE: sì

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: Uscita cromatica TV a colori (VID-L). Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 200mA. Marcatura sulla cassa: C1507 Y. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diodo CE: sì

Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: Amplificatore audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 300. Corrente del collettore: 50mA. Marcatura sulla cassa: C1845. Equivalenti: 2SC1845. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 3L (AMMO). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA992. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo CE: sì

Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Uscita di deflessione verticale TV. Guadagno hFE massimo: 125. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Uscita di deflessione verticale TV. Guadagno hFE massimo: 125. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS