KSA733-Y
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.42€ | 0.51€ |
| 10 - 24 | 0.40€ | 0.49€ |
| 25 - 49 | 0.38€ | 0.46€ |
| 50 - 99 | 0.36€ | 0.44€ |
| 100 - 249 | 0.35€ | 0.43€ |
| 250 - 499 | 0.34€ | 0.41€ |
| 500+ | 0.33€ | 0.40€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.42€ | 0.51€ |
| 10 - 24 | 0.40€ | 0.49€ |
| 25 - 49 | 0.38€ | 0.46€ |
| 50 - 99 | 0.36€ | 0.44€ |
| 100 - 249 | 0.35€ | 0.43€ |
| 250 - 499 | 0.34€ | 0.41€ |
| 500+ | 0.33€ | 0.40€ |
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KSA733-Y. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Corrente del collettore: 0.15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.
Prodotti equivalenti :
BC212B
Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): -0.1A. Costo): 1W. T...
Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): -0.1A. Costo): 1W. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): -0.1A. Costo): 1W. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SA733
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Gu...
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V
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