Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BC212B

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2 - 2 0.63€ 0.77€
3 - 4 0.59€ 0.72€
5 - 9 0.56€ 0.68€
10 - 24 0.53€ 0.65€
25 - 49 0.49€ 0.60€
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BC212B. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): -0.1A. Costo): 1W. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.

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BC556B

BC556B

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Co...
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC556B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC546B
BC556B
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC556B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC546B
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800....
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Equivalenti: Samsung 1203-002177. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: m...
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BC548B

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Co...
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