Qnéuantità (Set da 10) | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 1 | 0.60€ | 0.73€ |
2 - 2 | 0.57€ | 0.70€ |
3 - 4 | 0.54€ | 0.66€ |
5 - 9 | 0.51€ | 0.62€ |
10 - 24 | 0.48€ | 0.59€ |
25 - 49 | 0.45€ | 0.55€ |
50 - 173 | 0.42€ | 0.51€ |
Qnéuantità (Set da 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.60€ | 0.73€ |
2 - 2 | 0.57€ | 0.70€ |
3 - 4 | 0.54€ | 0.66€ |
5 - 9 | 0.51€ | 0.62€ |
10 - 24 | 0.48€ | 0.59€ |
25 - 49 | 0.45€ | 0.55€ |
50 - 173 | 0.42€ | 0.51€ |
Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V - BC212B. Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -50V. C(in): -0.1A. Costo): 1W. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 23:25.
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