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Transistor

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IRLU024NPBF

IRLU024NPBF

Serie di prodotti: HEXFET. Polarità: MOSFET N. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Id...
IRLU024NPBF
Serie di prodotti: HEXFET. Polarità: MOSFET N. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 17A. Voltaggio gate/source Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tensione gate/source Vgs max: -16V. Max: 45W. Alloggiamento: IPAK. Tipo di montaggio: SMD
IRLU024NPBF
Serie di prodotti: HEXFET. Polarità: MOSFET N. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 17A. Voltaggio gate/source Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tensione gate/source Vgs max: -16V. Max: 45W. Alloggiamento: IPAK. Tipo di montaggio: SMD
Set da 1
1.51€ IVA incl.
(1.24€ Iva esclusa)
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IRLZ24N

IRLZ24N

C(in): 480pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60 ns. T...
IRLZ24N
C(in): 480pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 47W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
IRLZ24N
C(in): 480pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 47W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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1.29€ IVA incl.
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IRLZ24NPBF

IRLZ24NPBF

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-22...
IRLZ24NPBF
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLZ24NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 480pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
IRLZ24NPBF
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLZ24NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 480pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
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1.65€ IVA incl.
(1.35€ Iva esclusa)
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IRLZ34N

IRLZ34N

C(in): 880pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 76 ns. T...
IRLZ34N
C(in): 880pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 76 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
IRLZ34N
C(in): 880pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 76 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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IRLZ34NPBF

IRLZ34NPBF

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-22...
IRLZ34NPBF
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLZ34NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 880pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 68W. Custodia (standard JEDEC): 30A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
IRLZ34NPBF
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLZ34NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 880pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 68W. Custodia (standard JEDEC): 30A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
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IRLZ34NS

IRLZ34NS

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del can...
IRLZ34NS
Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-262 ( I2-PAK ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-262. Voltaggio Vds(max): 55V
IRLZ34NS
Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-262 ( I2-PAK ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-262. Voltaggio Vds(max): 55V
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IRLZ44N

IRLZ44N

C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. ...
IRLZ44N
C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
IRLZ44N
C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
Set da 1
1.62€ IVA incl.
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IRLZ44NPBF

IRLZ44NPBF

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massim...
IRLZ44NPBF
Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 41A. Potenza: 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 55V
IRLZ44NPBF
Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 41A. Potenza: 83W. Rds sulla resistenza attiva: 0.022 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 55V
Set da 1
1.32€ IVA incl.
(1.08€ Iva esclusa)
1.32€
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ISL9V5036P3

ISL9V5036P3

Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Ic 46...
ISL9V5036P3
Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Diodo al germanio: soppressore. Corrente del collettore: 46A. Ic(T=100°C): 31A. Marcatura sulla cassa: V5036P. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10.8 ns. Td(acceso): 7 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AA. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 390V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 10V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Diodo CE: NINCS
ISL9V5036P3
Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Diodo al germanio: soppressore. Corrente del collettore: 46A. Ic(T=100°C): 31A. Marcatura sulla cassa: V5036P. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10.8 ns. Td(acceso): 7 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AA. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 390V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 10V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Diodo CE: NINCS
Set da 1
13.29€ IVA incl.
(10.89€ Iva esclusa)
13.29€
Quantità in magazzino : 14
IXFA130N10T2

IXFA130N10T2

C(in): 6600pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condiz...
IXFA130N10T2
C(in): 6600pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Rds sulla resistenza attiva: 0.01 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
IXFA130N10T2
C(in): 6600pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Rds sulla resistenza attiva: 0.01 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
Set da 1
10.88€ IVA incl.
(8.92€ Iva esclusa)
10.88€
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IXFH13N80

IXFH13N80

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-24...
IXFH13N80
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFH13N80. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 63 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
IXFH13N80
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFH13N80. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 63 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
38.63€ IVA incl.
(31.66€ Iva esclusa)
38.63€
Quantità in magazzino : 24
IXFH26N50Q

IXFH26N50Q

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-24...
IXFH26N50Q
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFH26N50. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 65 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
IXFH26N50Q
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFH26N50. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 65 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
27.58€ IVA incl.
(22.61€ Iva esclusa)
27.58€
Quantità in magazzino : 5
IXFH26N60Q

IXFH26N60Q

C(in): 4700pF. Costo): 580pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condiz...
IXFH26N60Q
C(in): 4700pF. Costo): 580pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protezione GS: NINCS
IXFH26N60Q
C(in): 4700pF. Costo): 580pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protezione GS: NINCS
Set da 1
25.11€ IVA incl.
(20.58€ Iva esclusa)
25.11€
Esaurito
IXFH32N50

IXFH32N50

C(in): 5700pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condiz...
IXFH32N50
C(in): 5700pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 200uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
IXFH32N50
C(in): 5700pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 200uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
Set da 1
25.41€ IVA incl.
(20.83€ Iva esclusa)
25.41€
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IXFH58N20

IXFH58N20

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-24...
IXFH58N20
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFH58N20. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
IXFH58N20
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFH58N20. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
25.82€ IVA incl.
(21.16€ Iva esclusa)
25.82€
Quantità in magazzino : 29
IXFK140N30P

IXFK140N30P

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-26...
IXFK140N30P
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK140N30P. Tensione drain-source Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 14000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1040W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
IXFK140N30P
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK140N30P. Tensione drain-source Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 14000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1040W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
49.37€ IVA incl.
(40.47€ Iva esclusa)
49.37€
Quantità in magazzino : 40
IXFK34N80

IXFK34N80

C(in): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain...
IXFK34N80
C(in): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 560W. Rds sulla resistenza attiva: 0.24 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS
IXFK34N80
C(in): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 560W. Rds sulla resistenza attiva: 0.24 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS
Set da 1
27.23€ IVA incl.
(22.32€ Iva esclusa)
27.23€
Esaurito
IXFK44N50

IXFK44N50

C(in): 8400pF. Costo): 900pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condiz...
IXFK44N50
C(in): 8400pF. Costo): 900pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 400uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS
IXFK44N50
C(in): 8400pF. Costo): 900pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 400uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS
Set da 1
26.72€ IVA incl.
(21.90€ Iva esclusa)
26.72€
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IXFK44N80P

IXFK44N80P

RoHS: sì. C(in): 12pF. Costo): 910pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità ...
IXFK44N80P
RoHS: sì. C(in): 12pF. Costo): 910pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 1.5mA. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.19 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protezione GS: NINCS
IXFK44N80P
RoHS: sì. C(in): 12pF. Costo): 910pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 1.5mA. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.19 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protezione GS: NINCS
Set da 1
23.66€ IVA incl.
(19.39€ Iva esclusa)
23.66€
Quantità in magazzino : 29
IXFK48N50

IXFK48N50

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-26...
IXFK48N50
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK48N50. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 8400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
IXFK48N50
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK48N50. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 8400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
Set da 1
29.61€ IVA incl.
(24.27€ Iva esclusa)
29.61€
Quantità in magazzino : 1
IXFK48N60P

IXFK48N60P

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-26...
IXFK48N60P
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK48N60P. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 85 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 8860pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 830W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
IXFK48N60P
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK48N60P. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 85 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 8860pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 830W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
33.10€ IVA incl.
(27.13€ Iva esclusa)
33.10€
Quantità in magazzino : 44
IXFK64N50P

IXFK64N50P

RoHS: sì. C(in): 7900pF. Costo): 790pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unit�...
IXFK64N50P
RoHS: sì. C(in): 7900pF. Costo): 790pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830W. Rds sulla resistenza attiva: 85m Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Protezione GS: NINCS
IXFK64N50P
RoHS: sì. C(in): 7900pF. Costo): 790pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830W. Rds sulla resistenza attiva: 85m Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Protezione GS: NINCS
Set da 1
24.47€ IVA incl.
(20.06€ Iva esclusa)
24.47€
Quantità in magazzino : 25
IXFK64N60P

IXFK64N60P

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-26...
IXFK64N60P
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK64N60P. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 79 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 12000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1040W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
IXFK64N60P
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK64N60P. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 79 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 12000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1040W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
38.63€ IVA incl.
(31.66€ Iva esclusa)
38.63€
Esaurito
IXFK90N30

IXFK90N30

C(in): 10000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di cond...
IXFK90N30
C(in): 10000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. Rds sulla resistenza attiva: 0.033 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 42 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS
IXFK90N30
C(in): 10000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. Rds sulla resistenza attiva: 0.033 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 42 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS
Set da 1
17.87€ IVA incl.
(14.65€ Iva esclusa)
17.87€
Quantità in magazzino : 5
IXFN520N075T2

IXFN520N075T2

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: SOT-227B (ISOTOP). Configurazione: ...
IXFN520N075T2
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: SOT-227B (ISOTOP). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: GigaMOS. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 48 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 41000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 940W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
IXFN520N075T2
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: SOT-227B (ISOTOP). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: GigaMOS. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 48 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 41000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 940W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
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