Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IXFK44N50

IXFK44N50
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 21.90€ 26.72€
2 - 2 20.80€ 25.38€
3 - 4 19.71€ 24.05€
5 - 9 18.61€ 22.70€
10 - 14 18.18€ 22.18€
15 - 19 17.74€ 21.64€
20+ 17.08€ 20.84€
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IXFK44N50. C(in): 8400pF. Costo): 900pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 400uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 24/01/2025, 22:25.

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IXFK48N50

IXFK48N50

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-26...
IXFK48N50
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK48N50. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 8400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
IXFK48N50
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK48N50. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 8400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
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