FQA19N60

FQA19N60. C(in): 2800pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 420 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 65 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.