Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V - IRFP054

Transistor a canale N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V - IRFP054
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Transistor a canale N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V - IRFP054. Transistor a canale N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 4500pF. Costo): 2000pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 360A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 83 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 12:25.

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IRFP054N

IRFP054N

Transistor a canale N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T...
IRFP054N
Transistor a canale N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.012 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 81 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 290A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V
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Transistor a canale N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.012 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 81 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 290A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V
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