IXFK48N50

IXFK48N50. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK48N50. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 8400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Quantità in stock aggiornata il 24/01/2025, 22:25.