IXFK64N50P

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 1	20.06€	24.47€
2 - 2	19.05€	23.24€
3 - 4	18.05€	22.02€
5 - 9	17.05€	20.80€
10 - 14	16.65€	20.31€
15 - 19	16.25€	19.83€
20 - 44	15.64€	19.08€

Qnéuantità	U.P
1 - 1	20.06€	24.47€
2 - 2	19.05€	23.24€
3 - 4	18.05€	22.02€
5 - 9	17.05€	20.80€
10 - 14	16.65€	20.31€
15 - 19	16.25€	19.83€
20 - 44	15.64€	19.08€

Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!

Quantità in magazzino : 44

Set da 1

IXFK64N50P. RoHS: sì. C(in): 7900pF. Costo): 790pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830W. Rds sulla resistenza attiva: 85m Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 24/01/2025, 22:25.

Documentazione tecnica