Transistor

C(in): 85pF. Costo): 34pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 26 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 540mW. Rds sulla resistenza attiva: 0.025 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 9 ns. Td(acceso): 3.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: B. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 85pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.54W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 85pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.54W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 75pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.54W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 510pF. Costo): 71pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD H. Marcatura sulla cassa: H. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.098 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 350 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 88pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: C. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 97pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.54W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 650pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 633pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.05 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 588 ns. Td(acceso): 350 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.2V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 350 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 588 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 633pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23/6. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: 2E. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1079pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 480pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRLR024NPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 5V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Serie di prodotti: HEXFET. Polarità: MOSFET N. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 55V. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 17A. Voltaggio gate/source Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tensione gate/source Vgs max: -16V. Max: 45W. Alloggiamento: DPAK. Tipo di montaggio: SMD

C(in): 440pF. Costo): 97pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRLR120NTRPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.185 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione GS: NINCS

C(in): 880pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 75. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 76 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Azionamento del gate a livello logico, commutazione rapida. Spec info: bassa resistenza R-on 0,040 Ohm. Protezione GS: NINCS

C(in): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.027 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLR2905PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 110W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1570pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 22ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Equivalenti: IRLR2905ZTRPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 11m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 3980pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 34-51 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRLR3110ZPbF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: ±16. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 800pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: LR3410. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 97W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 2900pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 21ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 33 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS

C(in): 4380pF. Costo): 940pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2000. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 39 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: LR7843. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 2.6m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.3V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Funzione: RDS molto basso (acceso) a 4,5 V VGS, impedenza di gate ultra bassa. Protezione GS: NINCS

C(in): 1030pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Rds sulla resistenza attiva: 6.3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 9.4 ns. Td(acceso): 8.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: Impedenza di gate ultrabassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2150pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Equivalenti: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 4m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: Impedenza di gate ultrabassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS