IRLR120N

IRLR120N. C(in): 440pF. Costo): 97pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRLR120NTRPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.185 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 02:25.