IRLR3110ZPBF

IRLR3110ZPBF. C(in): 3980pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 34-51 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRLR3110ZPbF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: ±16. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 02:25.