Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.33€ | 0.40€ |
10 - 24 | 0.32€ | 0.39€ |
25 - 49 | 0.30€ | 0.37€ |
50 - 99 | 0.28€ | 0.34€ |
100 - 249 | 0.28€ | 0.34€ |
250 - 293 | 0.27€ | 0.33€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.33€ | 0.40€ |
10 - 24 | 0.32€ | 0.39€ |
25 - 49 | 0.30€ | 0.37€ |
50 - 99 | 0.28€ | 0.34€ |
100 - 249 | 0.28€ | 0.34€ |
250 - 293 | 0.27€ | 0.33€ |
IRLML5203. C(in): 510pF. Costo): 71pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 5uA. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD H. Marcatura sulla cassa: H. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.098 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 02:25.
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