Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL3705N. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 37 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 170W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 3600pF

C(in): 5890pF. Costo): 3130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 75 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1040A. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.003 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Rd molto bassi. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Resistenza in conduzione Rds-on molto bassa. ID (T=100°C): 170A. ID (T=25°C): 200A. Idss (massimo): 200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.003 Ohms. Tecnologia: SMPS MOSFET. Voltaggio Vds(max): 30 v. Nota: UltraLow Gate

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L3713S. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5890pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 170W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 470A. ID (T=100°C): 98A. ID (T=25°C): 140A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.006 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 140A. Potenza: 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.006 Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione drain-source (Vds): 30V

C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 470A. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.006 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L3803S. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK/7. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 7. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 67 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 222 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 19680pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 416W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Tecnologia: V-MOS TO220A. Voltaggio Vds(max): 100V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L520N. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 800pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL530NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 800 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 79W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L530NS. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 800 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1800pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL540N. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Custodia (standard JEDEC): 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1800pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. RoHS: sì. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L540NS. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L5602S. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 53 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1460pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220A. Voltaggio Vds(max): 200V

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 69W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220A. Voltaggio Vds(max): 200V

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 9A. Potenza: 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 200V

C(in): 1800pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 310 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 18A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD-220. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L640S. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C