IRL640S

IRL640S. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD-220. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L640S. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 05:25.