Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PH40K. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 30A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Corrente massima del collettore (A): 60A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1800pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Funzione: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Corrente del collettore: 41A. Ic(impulso): 82A. Ic(T=100°C): 21A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 24 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.43V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PH40UD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 41A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 46 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Corrente massima del collettore (A): 82A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 2800pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 45A. Ic(impulso): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 36ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.77V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2800pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Diodo Trr (min.): 90 ns. Corrente del collettore: 45A. Ic(impulso): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 87 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.77V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1220V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Corrente del collettore: 45A. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 24A. Marcatura sulla cassa: IRG4PH50U. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 35 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.56V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C(in): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 850pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Diodo Trr (min.): 92 ns. Corrente del collettore: 31A. Ic(impulso): 62A. Ic(T=100°C): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 184 ns. Td(acceso): 34 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Numero di terminali: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 3025pF. Costo): 245pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Corrente del collettore: 90A. Ic(impulso): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 145 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Numero di terminali: 3. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2250pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 25. Corrente del collettore: 70A. Ic(impulso): 250A. Ic(T=100°C): 40A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 112 ns. Td(acceso): 36ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+140°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.29V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.57V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.6V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L1004S. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.7V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5330pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 6590pF. Costo): 1710pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 640A. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.004 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 160A. Potenza: 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.004 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 40V

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (massimo): 200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 0.005 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 40V. Funzione: Commutazione rapida, gate drive a livello logico

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL1404ZPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.7V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5080pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 230W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 5080pF. Costo): 970pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 26 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 790A. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Ids: 20uA. Idss (massimo): 200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaggio Vds(max): 40V. Protezione GS: NINCS

C(in): 3290pF. Costo): 1270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL2203NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.7V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L2203NS. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L2203NS. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (massimo): 104A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L2505S. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 3700pF. Costo): 630pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 49 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRL3502. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 96 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L3502S. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 96 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 3600pF. Costo): 870pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 94us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 310A. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 0.01 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 37 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Azionamento del gate a livello logico, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS