IRL2203N

IRL2203N. C(in): 3290pF. Costo): 1270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.