IRG4PH50K

IRG4PH50K. C(in): 2800pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 45A. Ic(impulso): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 36ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.77V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 08:25.