Transistor

C(in): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0175 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFZ44NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1470pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. Rds sulla resistenza attiva: 17.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZ44NS. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1470pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 94W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1812pF. Costo): 393pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 55A. Potenza: 115W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 60V

C(in): 1696pF. Costo): 407pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 67 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1696pF. Costo): 407pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 67 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 16.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-262 ( I2-PAK ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-262. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFZ46NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1696pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1970pF. Costo): 470pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 68 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Alloggiamento: TO-220AB. Marcatura del produttore: IRFZ48NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 34 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1970pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 64A. Potenza: 130W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione drain-source (Vds): 55V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20FD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 16A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 43 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 240 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 64A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 16A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 54 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 180 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 54 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 ( AB ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.27V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Corrente massima del collettore (A): 32A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20S. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 19A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 540 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 38A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20S. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 10A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 540 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 38A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20UD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 13A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 39 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 93 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 52A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20U. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 13A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 21 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 86 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 52A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC30FD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 31A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 42 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 230 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 60.4k Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC30KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 28A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 160 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 56A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC30S. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 34A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 540 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 68A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Funzione: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 175 ns. Td(acceso): 27 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 ( AB ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.59V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1100pF. Costo): 73pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Diodo Trr (min.): 42 ns. Funzione: UltraFast CoPack IGBT. Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Marcatura sulla cassa: IRG4BC30UD. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 91 ns. Td(acceso): 40 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 ( AB ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC30UD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 23A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 91 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 92A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC30U. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 23A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 91 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 92A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 980pF. Costo): 71pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Funzione: transistor MOSFET di potenza fino a 150 kHz. Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Marcatura sulla cassa: IRG 4BC30W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 99 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS