Transistor

C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR024N. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR024N. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 180pF. Costo): 80pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 17A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFR110PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.9ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1300pF. Costo): 410pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 65 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. Rds sulla resistenza attiva: 0.027 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 7.3 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR1205. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 47 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 107W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR1205N. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 32 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 330pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR220N. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 43W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (massimo): 3.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 1.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 400V

C(in): 2030pF. Costo): 470pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 280A. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 71A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2330pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Rds sulla resistenza attiva: 5.2m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.25V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, impedenza di gate ultra bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 640pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Rds sulla resistenza attiva: 0.115 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 37 ns. Td(acceso): 6.4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 55V

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1200pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 71ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: IRFR5305. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 650pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. Rds sulla resistenza attiva: 0.11 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 55V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 270pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 9.6 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFR9014PBF. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 270pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 570pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 350pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 47 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR9024N. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 38W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR9024N. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 38W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFR9024PBF. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 570pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (massimo): 5.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 100V