Transistor

C(in): 350pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR9120N. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 28 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 340pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 7.3 ns. Td(acceso): 8.8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK ( TO-252AA ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Funzione: rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFR9220PBF. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 340pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 42W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 350pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFRC20PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 42W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 500pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 137 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 6.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Funzione: Carica gate bassa (tipica 22nC), Crss basso

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 5.8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V

C(in): 1500pF. Costo): 178pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 1000uA. ID (min): 250uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 55V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: I-PAK. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFU024NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 17A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 4.3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 100V

C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 360pF. Costo): 92pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza di terza generazione. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-251AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFU420PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 33 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 42W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 360pF

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-251AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFU4620PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25.4 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1710pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 144W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 570pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 350pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 47 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 350pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 600V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFZ24NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 640pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZ24NS. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 4.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 45W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 700pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 57 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 31 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFZ34NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 31 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C