Transistor a canale N, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V - IRFS634A

Transistor a canale N, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V - IRFS634A. Transistor a canale N, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 5.8A. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Prodotto originale del produttore Samsung. Quantità in stock aggiornata il 09/06/2025, 03:25.