Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRFRC20

IRFRC20
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IRFRC20. C(in): 350pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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C(in): 350pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 600V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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C(in): 350pF. Costo): 48pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 600V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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