Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRF610

IRF610
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25 - 49 0.68€ 0.83€
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IRF610. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-22...
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): 50. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF630. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
IRF630
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): 50. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF630. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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