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IRFZ34N

IRFZ34N
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IRFZ34N. C(in): 700pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 57 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 31 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 19:25.

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