IRFR9220

IRFR9220. C(in): 340pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 7.3 ns. Td(acceso): 8.8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK ( TO-252AA ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Funzione: rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 11:25.