Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC40K. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 25A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 140 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Corrente massima del collettore (A): 84A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC40S. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 60A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 650 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Corrente massima del collettore (A): 60.4k Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC40U. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 34 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Corrente massima del collettore (A): 160A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC30FD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 31A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 42 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 230 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 60.4k Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 920pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Diodo Trr (min.): 42 ns. Corrente del collettore: 28A. Ic(impulso): 58A. Ic(T=100°C): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 60 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.21V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Spec info: Transistor IGBT ultraveloce. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC30KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 28A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 160 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 58A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC30S. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 34A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 540 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 68A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1100pF. Costo): 73pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Diodo Trr (min.): 42 ns. Funzione: ULTRA FAST. Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 92A. ID (T=100°C): 12A. Marcatura sulla cassa: IRG4PC30UD. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 91 ns. Td(acceso): 40 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC30UD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 23A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 91 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 92A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 2200pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: TO-247AC. Unità di condizionamento: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 42 ns. Corrente del collettore: 49A. Ic(impulso): 84A. Ic(T=100°C): 27A. Marcatura sulla cassa: 230 ns. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 230 ns. Td(acceso): 63 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: Ultra veloce, per frequenze operative elevate 8-40kHz. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1600pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Corrente del collettore: 42A. Ic(impulso): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Marcatura sulla cassa: G4PC40K. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 30 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor bipolare a gate isolato (IGBT). Funzione: Ultra veloce, per frequenze operative elevate 8-40kHz. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1600pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 42 ns. Corrente del collettore: 42A. Ic(impulso): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 53 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: Ultra veloce, per frequenze operative elevate 8-40kHz. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC40KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 42A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 53 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Corrente massima del collettore (A): 84A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC40K. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 42A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 140 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Corrente massima del collettore (A): 84A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 2100pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 34 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.72V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: Ultra veloce, per frequenze operative elevate 8-40kHz. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC40UD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 54 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Corrente massima del collettore (A): 160A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1900pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 27 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.05V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC40W. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 27 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Corrente massima del collettore (A): 160A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC50FD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 55 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 240 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Corrente massima del collettore (A): 280A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC50F. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 70A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 31 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 240 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Corrente massima del collettore (A): 280A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PC50KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 52A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 63 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 150 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Corrente massima del collettore (A): 104A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 3700pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 55A. Ic(impulso): 220A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 46 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.93V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 25. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 6050pF. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT ad alta velocità . Corrente del collettore: 90A. Ic(impulso): 360A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 520W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 310 ns. Td(acceso): 42 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PF50W. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 900V. Corrente collettore Ic [A]: 51A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 29 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 29 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 900V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Corrente massima del collettore (A): 204A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PH20KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 11A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Corrente massima del collettore (A): 22A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C