IRG4PF50WPBF

IRG4PF50WPBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Custodia (standard JEDEC): TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4PF50W. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 900V. Corrente collettore Ic [A]: 51A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 29 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 29 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 900V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Corrente massima del collettore (A): 204A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 08:25.