Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.22€ | 5.15€ |
5 - 9 | 4.01€ | 4.89€ |
10 - 18 | 3.80€ | 4.64€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 4 | 4.22€ | 5.15€ |
5 - 9 | 4.01€ | 4.89€ |
10 - 18 | 3.80€ | 4.64€ |
IRG4PC30KD. C(in): 920pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Diodo Trr (min.): 42 ns. Corrente del collettore: 28A. Ic(impulso): 58A. Ic(T=100°C): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 60 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.21V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Spec info: Transistor IGBT ultraveloce. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 08:25.
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