IRFR110

IRFR110. C(in): 180pF. Costo): 80pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 17A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 13:25.