Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP3415PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 72 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 2600pF. Costo): 660pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 87 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza HEXFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP350PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 87 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 4500pF. Costo): 1100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 420 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 3400pF. Costo): 540pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 91A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Marcatura del produttore: IRFP360PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 100 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 280W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 23A. Potenza: 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Alloggiamento: TO-247AC HV. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione drain-source (Vds): 400V

C(in): 3000pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 210 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: FastSwitch. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (massimo): 51A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP3710PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 58 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Custodia (standard JEDEC): 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.021 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 4560pF. Costo): 390pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Rds sulla resistenza attiva: 0.038 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 44 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Peso: 5.8g. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 7370pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 5uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 430W. Rds sulla resistenza attiva: 0.049 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. Protezione GS: NINCS

C(in): 5860pF. Costo): 530pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutatore PDP. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Rds sulla resistenza attiva: 0.029 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP4468PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 52 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 160 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 19860pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 520W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 2600pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 540 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 92us. Td(acceso): 17us. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2200pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 580us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP450LCPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP450PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 17 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 92 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Custodia (standard JEDEC): 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 10470pF. Costo): 977pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 171A. ID (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 517W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0048 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 4200pF. Costo): 870pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. C(in): 3100pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 480 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Costo): 152pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 437ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 62A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 278W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 117 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: D Series Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. C(in): 3940pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 3600pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: Commutazione rapida, carica gate ultra bassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP460LCPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 280W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 3600pF

Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP460PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 280W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 20A. Potenza: 250W. Alloggiamento: TOP-3 (TO-247). Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione drain-source (Vds): 500V