Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 1 | 10.97€ | 13.38€ |
Qnéuantità | U.P | |
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IRFP4242. C(in): 7370pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 5uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 430W. Rds sulla resistenza attiva: 0.049 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.
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